申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)： 200780000966

　　本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體陶瓷，施主元素相對(duì)于Ｔｉ元素１００摩爾，在０．８～２．０摩爾的范圍中固溶在晶粒中，受主元素以比所述施主元素更少的量固溶在晶粒中，受主元素以相對(duì)于Ｔｉ元素１００摩爾，在０．３～１．０摩爾的范圍中存在于晶界中，晶粒的平均粒徑為１．０μｍ以下。使用該半導(dǎo)體陶瓷，取得層疊型半導(dǎo)體陶瓷電容器。這時(shí)，在進(jìn)行還原煅燒的一次煅燒處理中，把冷卻開始時(shí)的氧分壓設(shè)定為煅燒過程的氧分壓的１．０×１０↑［４］倍以上，進(jìn)行冷卻處理。據(jù)此，實(shí)現(xiàn)即使晶粒的平均粒徑微�；剑保�μｍ以下，也具有５０００以上的表觀相對(duì)介電常數(shù)εｒ↓［ＡＰＰ］和１０以上的比電阻ｌｏｇρ（ρ：Ω·ｃｍ）的ＳｒＴｉＯ↓［３］類晶界絕緣型的半導(dǎo)體陶瓷和使用它的層疊型半導(dǎo)體陶瓷電容器、它們的制造方法。

申請(qǐng)日： 2007年05月28日

公開日： 2009年01月14日

授權(quán)公告日： 

申請(qǐng)人/專利權(quán)人： 株式會(huì)社村田制作所

申請(qǐng)人地址： 日本京都府

發(fā)明設(shè)計(jì)人： 川本光俊

專利代理機(jī)構(gòu)： 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司

代理人： 李香蘭

專利類型： 發(fā)明專利

分類號(hào)： C04B35/47;H01G4/12